Datasheet > HB52E48EM-A6D

HB52E48EM-A6D

更新时间： 2024-01-20 13:32:01

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
65页	609K
描述
Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, 133.37 X 4 MM, 34.925 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HB52E48EM-A6D 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.84
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	65 °C	最低工作温度：
组织：	4MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
最大待机电流：	0.008 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.56 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

HB52E48EM-A6D 数据手册

HB52E48EM-D

32 MB Unbuffered SDRAM DIMM

4-Mword × 64-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module

(4 pcs of 4 M × 16 Components)

PC100 SDRAM

ADE-203-967 (Z)

Preliminary, Rev. 0.0

Sept. 23, 1998

Description

The HB52E48EM belongs to 8-byte DIMM (Dual In-line Memory Module) family, and has been

developed as an optimized main memory solution for 8-byte processor applications. The HB52E48EM is a

4 M × 64 × 1-bank synchronous Dynamic RAM Module, mounted 4 pieces of 64-Mbit SDRAM

(HM5264165DTT) sealed in TSOP package and 1 piece of serial EEPROM (2-kbit EEPROM) for Presence

Detect (PD). An outline of the products is 168-pin socket type package (dual lead out). Therefore, it

makes high density mounting possible without surface mount technology. It provides common data inputs

and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside each TSOP on the module board.

Features

•

Fully compatible with : JEDEC standard outline unbuffered 8-byte DIMM

: Intel PCB Reference design (Rev.1.0)

168-pin socket type package (dual lead out)

Outline: 133.37 mm (Length) × 34.925 mm (Height) × 4.00 mm (Thickness)

Lead pitch: 1.27 mm

•

3.3 V power supply

Clock frequency: 100 MHz (max)

LVTTL interface

Data bus width : × 64 Non parity

Single pulsed RAS

4 Banks can operates simultaneously and independently

Burst read/write operation and burst read/single write operation capability

Programmable burst length: 1/2/4/8/full page

12 3 4 5 6 7...65

下载PDF

与HB52E48EM-A6D相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HB52E48EM-B6	ETC	x64 SDRAM Module	获取价格
HB52E48EM-B6D	HITACHI	Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, 133.37 X 4 MM, 34.925 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH	获取价格
HB52E648EN-A6B	ELPIDA	512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus	获取价格
HB52E648EN-B6B	ELPIDA	512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus	获取价格
HB52E649E12	ELPIDA	512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bi	获取价格
HB52E649E12-A6B	ELPIDA	512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bi	获取价格

与HB52E48EM-A6D相关文章

STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
2024-05-30

17
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
2024-05-30

16
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
2024-05-30

14
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
2024-05-30

11

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HB52E48EM-A6D

HB52E48EM-A6D 技术参数

HB52E48EM-A6D 数据手册

与HB52E48EM-A6D相关器件

与HB52E48EM-A6D相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HB52E48EM-A6D

HB52E48EM-A6D 技术参数

HB52E48EM-A6D 数据手册

与HB52E48EM-A6D相关器件

与HB52E48EM-A6D相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？