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HB52E169E12-B6D

更新时间： 2024-02-24 05:47:27

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
66页	923K
描述
Synchronous DRAM Module, 16MX4, 6.9ns, CMOS, DIMM-168

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HB52E169E12-B6D 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM,	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6.9 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
长度：	133.595 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	55 °C	最低工作温度：
组织：	16MX4	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	43.18 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	4 mm
Base Number Matches：	1

HB52E169E12-D

128 MB Registered SDRAM DIMM

16-Mword × 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module

(18 pcs of 16 M × 4 Components)

PC100SDRAM

ADE-203-994A (Z)

Rev. 1.0

Jul. 22, 1999

Description

The HB52E169E12 belongs to 8-byte DIMM (Dual In-line Memory Module) family, and has been developed

as an optimized main memory solution for 8-byte processor applications. The HB52E169E12 is a 16M × 72

× 1-bank Synchronous Dynamic RAM Registered Module, mounted 18 pieces of 64-Mbit SDRAM

(HM5264405DTT) sealed in TSOP package, 1 piece of PLL clock driver (2509), 2 pieces of register driver

(16835) and 1 piece of serial EEPROM (2-kbit EEPROM) for Presence Detect (PD). An outline of the

HB52E169E12 is 168-pin socket type package (dual lead out). Therefore, the HB52E169E12 makes high

density mounting possible without surface mount technology. The HB52E169E12 provides common data

inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside each TSOP on the module board.

Features

•

Fully compatible with : JEDEC standard outline registered 8-byte DIMM

: Intel PCB Reference design (Rev.1.2)

168-pin socket type package (dual lead out)

Outline: 133.37 mm (Length) × 43.18 mm (Height) × 4.00 mm (Thickness)

Lead pitch: 1.27 mm

•

3.3 V power supply

Clock frequency: 100 MHz (max)

LVTTL interface

Data bus width: × 72 ECC

Single pulsed RAS

4 Banks can operates simultaneously and independently

Burst read/write operation and burst read/single write operation capability

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HB52E169E12-B6F	HITACHI	Synchronous DRAM Module, 16MX72, 6.9ns, CMOS, DIMM-168	获取价格
HB52E169E1-B6	ETC	x72 SDRAM Module	获取价格
HB52E169E1-B6D	HITACHI	Synchronous DRAM Module, 16MX4, 6.9ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168	获取价格
HB52E169EN-A6D	HITACHI	Synchronous DRAM Module, 16MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168	获取价格
HB52E169EN-A6F	HITACHI	Synchronous DRAM Module, 16MX72, 6ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168	获取价格
HB52E169EN-B6	ETC	x72 SDRAM Module	获取价格