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HAT1072H-EL-E

更新时间: 2024-11-11 07:02:47
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
页数 文件大小 规格书
7页 178K
描述
Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching

HAT1072H-EL-E 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:LFPAK
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4针数:5
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.22Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):40 A
最大漏极电流 (ID):40 A最大漏源导通电阻:0.0077 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G4
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):30 W最大脉冲漏极电流 (IDM):160 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

HAT1072H-EL-E 数据手册

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HAT1072H  
Silicon P Channel Power MOS FET  
Power Switching  
REJ03G1155-0700  
(Previous: ADE-208-1534E)  
Rev.7.00  
Sep 07, 2005  
Features  
Capable of –4.5 V gate drive  
Low drive current  
High density mounting  
Low on-resistance  
RDS (on) = 3.6 mtyp (at VGS V)  
Outline  
RENEA-A  
(Package
5
D
1, 2, 3 Source  
4
4
5
Gate  
Drain  
S S  
3  
Rev.7.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6  

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