HAT1110R

更新时间： 2024-11-11 03:41:15

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
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Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching

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HAT1110R 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT
包装说明：	FP-8DA, SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	80 V
最大漏极电流 (ID)：	1 A	最大漏源导通电阻：	1.38 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HAT1110R 数据手册

HAT1110R

Silicon P Channel Power MOS FET

Power Switching

REJ03G0416-0200

Rev.2.00

Oct.07.2004

Features

•

Capable of –4.5 V gate drive

Low drive current

High density mounting

Outline

SOP-8

7 8

5 6

D D

1, 3

2, 4

Source

Gate

5, 6, 7, 8 Drain

S 3

MOS1

MOS2

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

Ratings

–80

±20

–1

Unit

V_DSS

V_GSS

I_D

Note1

Drain peak current

Reverse drain current

Channel dissipation

Channel temperature

Storage temperature

I_D(pulse)

–6

I_DR

Pch ^Note2

Pch ^Note3

Tch

–1

1.2

°C

1.8

150

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1 %

2. 1 Drive operation; When using the glass epoxy board (FR4 40 x 40 x 1.6 mm), PW ≤ 10 s

3. 2 Drive operation; When using the glass epoxy board (FR4 40 x 40 x 1.6 mm), PW ≤ 10 s

Rev.2.00, Oct.07.2004, page 1 of 7

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