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H5TC4G63EFR-RDA

更新时间: 2024-09-21 14:48:55
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海力士 - HYNIX 双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
33页 1464K
描述
DDR3

H5TC4G63EFR-RDA 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FBGA-96Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.61访问模式:MULTI BANK PAGE BURST
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PBGA-B96
长度:13 mm内存密度:4294967296 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:96字数:268435456 words
字数代码:256000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:
组织:256MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):1.45 V最小供电电压 (Vsup):1.283 V
标称供电电压 (Vsup):1.35 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.5 mmBase Number Matches:1

H5TC4G63EFR-RDA 数据手册

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Package Dimension(x16): 96Ball Fine Pitch Ball Grid Array Outline  
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Rev. 1.5/ Oct. 2020  
33  

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