H5N2505DL

更新时间： 2024-02-14 11:05:13

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瑞萨 - RENESAS		开关电源开关
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H5N2505DL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	DPAK(S)	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.38
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.89 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

H5N2505DL 数据手册

H5N2505DL, H5N2505DS

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

REJ03G1107-0300

Rev.3.00

Oct 16, 2006

Features

•

Low on-resistance

Low drive current

High speed switching

Low gate change

Avalanche ratings

Outline

RENESAS Package code: PRSS0004ZD-B RENESAS Package code: PRSS0004ZD-C

(Package name: DPAK(L)-(2) ) (Package name: DPAK(S) )

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Value

Unit

250

Gate to source voltage

±30

Drain current

Note 1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

Body-drain diode reverse drain current

Body-drain diode reverse drain peak current

Avalanche current

I_DR

Note 1

I_{DR (pulse)}

Note 3

I_AP

Channel dissipation

Pch ^{Note 2}

θ ch-c

Tch

°C/W

°C

Channel to case thermal Impedance

Channel temperature

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at Tc = 25°C

3. STch = 25°C, Tch ≤ 150°C

Rev.3.00 Oct 16, 2006 page 1 of 7

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