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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 零件包装代码： | DPAK(L)-(2) | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.25 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.97 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| H5N2510DS | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N2510DS | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.97ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| H5N2510DSTL-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N2512CF | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N2512FL-M0 | RENESAS |
获取价格 |
250V - 18A - MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N2512FL-M0-E#T2 | RENESAS |
获取价格 |
POWER, FET |
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| H5N2512FL-M0-ET2 | RENESAS |
获取价格 |
250V - 18A - MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N2512FN | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N2513PL | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N2513PL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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