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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.19 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.97 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| H5N2510DL-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N2510DS | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N2510DS | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.97ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| H5N2510DSTL-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N2512CF | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N2512FL-M0 | RENESAS |
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250V - 18A - MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N2512FL-M0-E#T2 | RENESAS |
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POWER, FET |
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| H5N2512FL-M0-ET2 | RENESAS |
获取价格 |
250V - 18A - MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N2512FN | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N2513PL | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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