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H5N2510D(S)-(3)

更新时间： 2023-01-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		/
页数	文件大小	规格书
7页	33K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,250V V(BR)DSS,5A I(D),TO-252AA

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H5N2510D(S)-(3) 数据手册

H5N2510DL, H5N2510DS

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-1379 (Z)

Target Specification 1st. Edition

Mar. 2001

Features

•

Low on-resistance

Low drive current

High speed switching

Outline

DPAK-2

H5N2510DS

1. Gate

H5N2510DL

2. Drain

3. Source

4. Drain

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5N2510DL	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N2510DL	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.97ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
H5N2510DL-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N2510DS	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N2510DS	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.97ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
H5N2510DSTL-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N2512CF	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N2512FL-M0	RENESAS	获取价格	250V - 18A - MOS FET High Speed Power Switching
H5N2512FL-M0-E#T2	RENESAS	获取价格	POWER, FET
H5N2512FL-M0-ET2	RENESAS	获取价格	250V - 18A - MOS FET High Speed Power Switching