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GT5G101

更新时间: 2024-11-14 20:55:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 572K
描述
TRANSISTOR 5 A, 400 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor

GT5G101 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:8.77
最大集电极电流 (IC):5 A集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLEJESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):2000 ns标称接通时间 (ton):900 ns
Base Number Matches:1

GT5G101 数据手册

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