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GT5J311

更新时间: 2024-02-15 12:01:32
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关电动机控制双极性晶体管高功率电源
页数 文件大小 规格书
6页 294K
描述
N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

GT5J311 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.8
其他特性:HIGH SPEED外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):5 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间(tf):300 ns
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):45 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):500 ns
标称接通时间 (ton):400 nsBase Number Matches:1

GT5J311 数据手册

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