是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | LQFP, QFP100,.63X.87 |
针数: | 100 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.B | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.37 | 最长访问时间: | 2.5 ns |
其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 2.3 V TO 2.7 V SUPPLY | 最大时钟频率 (fCLK): | 250 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 9437184 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 36 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX36 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装等效代码: | QFP100,.63X.87 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 1.8/2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大待机电流: | 0.045 A |
最小待机电流: | 1.7 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.215 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 2 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 14 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GS88037CT-300 | GSI |
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Cache SRAM, 256KX36, 2.2ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
GS88037CT-300IT | GSI |
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Cache SRAM, 256KX36, 2.2ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
GS88037CT-300T | GSI |
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Cache SRAM, 256KX36, 2.2ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
GS880E18AGT-133 | GSI |
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Cache SRAM, 512KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
GS880E18AGT-133I | GSI |
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Cache SRAM, 512KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
GS880E18AGT-133T | GSI |
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Cache SRAM, 512KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
GS880E18AGT-150I | GSI |
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Cache SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
GS880E18AGT-150IT | GSI |
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Cache SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
GS880E18AGT-150T | GSI |
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Cache SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
GS880E18AGT-166 | GSI |
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Cache SRAM, 512KX18, 7ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |