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GS8161FZ18BGD-5.5

更新时间： 2024-11-05 05:10:43

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GSI		存储内存集成电路静态存储器
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28页	1238K
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18Mb Flow Through Synchronous NBT SRAM

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GS8161FZ18BGD-5.5 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LBGA,	针数：	165
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	5.5 ns
其他特性：	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATE AT 3.3V	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e1	长度：	15 mm
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	13 mm
Base Number Matches：	1

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GS8161FZ18/32/36BD

165-Bump BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

5.5 ns–7.5 ns

18Mb Flow Through

Synchronous NBT SRAM

2.5 V or 3.3 V V

2.5 V or 3.3 V I/O

Features

• Flow Through mode

• NBT (No Bus Turn Around) functionality allows zero wait

read-write-read bus utilization

• Fully pin-compatible with flow through NtRAM™, NoBL™

and ZBT™ SRAMs

• IEEE 1149.1 JTAG-compatible Boundary Scan

• 2.5 V or 3.3 V +10%/–10% core power supply

• LBO pin for Linear or Interleave Burst mode

• Pin-compatible with 2M, 4M, and 8M devices

• Byte write operation (9-bit Bytes)

• 3 chip enable signals for easy depth expansion

• ZZ pin for automatic power-down

• JEDEC-standard 165-bump FP-BGA package

• RoHS-compliant 165-bump BGA package available

Because it is a synchronous device, address, data inputs, and

read/ write control inputs are captured on the rising edge of the

input clock. Burst order control (LBO) must be tied to a power

rail for proper operation. Asynchronous inputs include the

Sleep mode enable, ZZ and Output Enable. Output Enable can

be used to override the synchronous control of the output

drivers and turn the RAM's output drivers off at any time.

Write cycles are internally self-timed and initiated by the rising

edge of the clock input. This feature eliminates complex off-

chip write pulse generation required by asynchronous SRAMs

and simplifies input signal timing.

The GS8161FZ18/32/36BD is configured to operate in Flow

Through mode.

The GS8161FZ18/32/36BDis implemented with GSI's high

performance CMOS technology and is available in JEDEC-

standard 165-bump FP-BGA package.

Functional Description

The GS8161FZ18/32/36BD is an 18Mbit Synchronous Static

SRAM. GSI's NBT SRAMs, like ZBT, NtRAM, NoBL or

other flow through read/single late write SRAMs, allow

utilization of all available bus bandwidth by eliminating the

need to insert deselect cycles when the device is switched from

read to write cycles.

Parameter Synopsis

-5.5

-6.5

-7.5

Unit

t_KQ

tCycle

5.5

6.5

7.5

Flow Through

2-1-1-1

225

255

200

220

185

205

Curr (x18)

Curr (x32/x36)

Rev: 1.00 6/2006

1/28

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

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