是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | LBGA, | 针数: | 165 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 7.5 ns | 其他特性: | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATE AT 3.3V |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 15 mm | 内存密度: | 18874368 bit |
内存集成电路类型: | ZBT SRAM | 内存宽度: | 18 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 165 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX18 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.4 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 2.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 13 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GS8161FZ18BGD-7.5IT | GSI |
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暂无描述 | |
GS8161FZ32BD-5.5 | GSI |
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18Mb Flow Through Synchronous NBT SRAM | |
GS8161FZ32BD-5.5I | GSI |
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18Mb Flow Through Synchronous NBT SRAM | |
GS8161FZ32BD-6.5 | GSI |
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18Mb Flow Through Synchronous NBT SRAM | |
GS8161FZ32BD-6.5I | GSI |
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18Mb Flow Through Synchronous NBT SRAM | |
GS8161FZ32BD-6.5IT | GSI |
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ZBT SRAM, 512KX32, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 | |
GS8161FZ32BD-6.5T | GSI |
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ZBT SRAM, 512KX32, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 | |
GS8161FZ32BD-7.5 | GSI |
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18Mb Flow Through Synchronous NBT SRAM | |
GS8161FZ32BD-7.5I | GSI |
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18Mb Flow Through Synchronous NBT SRAM | |
GS8161FZ32BGD-5.5 | GSI |
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18Mb Flow Through Synchronous NBT SRAM |