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GS71116AGJ-8T

更新时间： 2024-09-17 08:49:23
品牌 Logo 应用领域
GSI 静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
15页 551K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-44

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GS71116AGJ-8T 数据手册

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GS71116ATP/J/U  
7, 8, 10, 12 ns  
SOJ, TSOP, FP-BGA  
Commercial Temp  
Industrial Temp  
64K x 16  
1Mb Asynchronous SRAM  
3.3 V V  
DD  
Center V and V  
DD  
SS  
Features  
SOJ 64K x 16-Pin Configuration  
• Fast access time: 7, 8, 10, 12 ns  
• CMOS low power operation: 145/125/100/85 mA at  
minimum cycle time  
• Single 3.3 V power supply  
• All inputs and outputs are TTL-compatible  
• Byte control  
• Fully static operation  
• Industrial Temperature Option: –40° to 85°C  
• Package line up  
A4  
A3  
A5  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
1
A6  
2
A2  
A7  
3
A1  
OE  
4
Top view  
A0  
UB  
5
CE  
LB  
6
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
VDD  
DQ16  
DQ15  
DQ14  
7
8
9
J:  
400 mil, 44-pin SOJ package  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
DQ13  
VSS  
VDD  
DQ12  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
NC  
44-pin  
SOJ  
GJ: RoHS-compliant 400 mil, 44-pin SOJ package  
TP: 400 mil, 44-pin TSOP Type II package  
GP: RoHS-compliant 400 mil, 44-pin TSOP Type II  
package  
U: 6 mm x 8 mm Fine Pitch Ball Grid Array package  
GU: RoHS-compliant 6 mm x 8 mm Fine Pitch Ball Grid  
Array package  
VSS  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
WE  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
A15  
A14  
A13  
A12  
NC  
A8  
A9  
Description  
A10  
A11  
The GS71116A is a high speed CMOS static RAM organized  
as 65,536-words by 16-bits. Static design eliminates the need  
for external clocks or timing strobes. Operating on a single  
3.3 V power supply and all inputs and outputs are TTL-  
compatible. The GS71116A is available in a 6 mm x 8 mm  
Fine Pitch BGA package, as well as in 400 mil SOJ and 400  
mil TSOP Type-II packages  
NC  
Package J  
Fine Pitch BGA 64K x 16-Bump Configuration  
1
2
3
4
5
6
.
Pin Descriptions  
Symbol  
A0–A15  
DQ1–DQ16  
CE  
Description  
Address input  
A
B
C
LB  
OE  
A0  
A3  
A1  
A4  
A6  
A2  
NC  
DQ16 UB  
CE DQ1  
DQ2 DQ3  
Data input/output  
Chip enable input  
DQ14 DQ15 A5  
Lower byte enable input  
(DQ1 to DQ8)  
V
V
D
E
DQ13 NC  
DQ12 NC  
A7  
DQ4  
SS  
DD  
DD  
SS  
LB  
V
V
NC DQ5  
Upper byte enable input  
(DQ9 to DQ16)  
UB  
F
G
H
DQ11 DQ10 A8  
A9  
DQ7 DQ6  
WE DQ8  
WE  
OE  
Write enable input  
Output enable input  
+3.3 V power supply  
DQ9 NC  
NC A12  
A10  
A13  
A11  
A14  
A15  
NC  
V
DD  
V
Ground  
SS  
6 mm x 8 mm, 0.75 mm Bump Pitch (Package U)  
Top View  
NC  
No connect  
Rev: 1.09 10/2007  
1/15  
© 2001, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
1234567...15

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GS71116AGP-10 ETC

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 		1Mb Asynchronous SRAM
GS71116AGP-10I ETC

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 		1Mb Asynchronous SRAM
GS71116AGP-12 ETC

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 		1Mb Asynchronous SRAM
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 		1Mb Asynchronous SRAM
GS71116AGP-12IT GSI

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 		Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-44
GS71116AGP-12T GSI

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 		Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-44
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 		Standard SRAM, 64KX16, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
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 		Standard SRAM, 64KX16, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
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 		Standard SRAM, 64KX16, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
GS71116AGP-7 ETC

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