Datasheet > GP10MHM3/54

GP10MHM3/54

更新时间： 2024-11-12 22:55:35

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
5页	73K
描述
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

GP10MHM3/54 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5
其他特性：	HIGH RELIABILITY, FREE WHEELING DIODE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-204AL
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	1000 V
最大反向恢复时间：	3 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

GP10MHM3/54 数据手册

GP10x

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Glass Passivated Junction Plastic Rectifier

FEATURES

• Superectifier structure for high reliability

application

SUPERECTIFIER^®

• Cavity-free glass-passivated junction

• Low forward voltage drop

• Low leakage current

• High forward surge capability

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

DO-41 (DO-204AL)

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in general purpose rectification of power supplies,

inverters, converters and freewheeling diodes for consumer

applications.

PRIMARY CHARACTERISTICS

MECHANICAL DATA

I_F(AV)

1.0 A

Case: DO-41 (DO-204AL), molded epoxy over glass body

V_RRM

50 V to 1600 V

30 A, 25 A

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade

I_FSM

I_R

V_F

5.0 μA

Terminals: matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

1.1 V, 1.2 V, 1.3 V

175 °C

T_Jmax.

Package

DO-41 (DO-204AL)

Single

Polarity: color band denotes cathode end

Circuit configuration

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

50 to 1600 (fig. 5)

Maximum average forward rectified current

I_F(AV)

I_FSM

1.0

0.375" (9.5 mm) lead length (fig. 1)

Peak forward surge current 8.3 ms single half

sine-wave superimposed on rated load

Maximum full load reverse current, full cycle

average, 0.375" (9.5 mm) lead length at T_A= 75 °C

I_R(AV)

μA

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

-65 to +175

-65 to +150

Revision: 02-Jul-2020

Document Number: 88637

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

GP10MHM3/54 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
GP10M-M3/54	VISHAY	完全替代	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

与GP10MHM3/54相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GP10MHM3/73	VISHAY	获取价格	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
GP10MI	ETC	获取价格	Standard Rectifiers
GP10ML	ZOWIE	获取价格	Low VF Rectifier Diode
GP10MLH	ZOWIE	获取价格	Low VF Rectifier Diode
GP10MM	TAITRON	获取价格	1.0A Sintered Glass Passivated Rectifier
GP10M-M3/54	VISHAY	获取价格	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
GP10M-M3/73	VISHAY	获取价格	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
GP10M-T	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
GP10M-T/B	FRONTIER	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon
GP10M-T/R	FRONTIER	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon

与GP10MHM3/54相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

8
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

9
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

GP10MHM3/54

GP10MHM3/54 技术参数

GP10MHM3/54 数据手册

GP10MHM3/54 替代型号

与GP10MHM3/54相关器件

与GP10MHM3/54相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

GP10MHM3/54

GP10MHM3/54 技术参数

GP10MHM3/54 数据手册

GP10MHM3/54 替代型号

与GP10MHM3/54相关器件

与GP10MHM3/54相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？