是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SON, SOLCC54,.3,20 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.9 | 最长访问时间: | 6 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 125 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PDSO-N54 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 67108864 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度: | 16 |
端子数量: | 54 | 字数: | 4194304 words |
字数代码: | 4000000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 4MX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SON | 封装等效代码: | SOLCC54,.3,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 连续突发长度: | 1,2,4,8,FP |
最大待机电流: | 0.002 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.165 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GM72V661641DLI | ETC |
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1,048,576WORD X 16BIT X 4BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM | |
GM72V661641DLI-10K | HYNIX |
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Synchronous DRAM, 4MX16, 8ns, CMOS, PDSO54, | |
GM72V66441DI-7J | HYNIX |
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Synchronous DRAM, 16MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, | |
GM72V66441DLI-10K | HYNIX |
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Synchronous DRAM, 16MX4, 8ns, CMOS, PDSO54, | |
GM72V66441ELT | ETC |
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16Mx4|3.3V|4K|75|SDR SDRAM - 64M | |
GM72V66441ELT-7 | ETC |
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x4 SDRAM | |
GM72V66441ELT-75 | ETC |
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x4 SDRAM | |
GM72V66441ELT-7J | ETC |
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x4 SDRAM | |
GM72V66441ELT-7K | ETC |
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x4 SDRAM | |
GM72V66441ELT-8 | ETC |
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x4 SDRAM |