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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SON, SOLCC54,.3,20 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.64 | 最长访问时间： | 6 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PDSO-N54 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16MX4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SON | 封装等效代码： | SOLCC54,.3,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.11 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| GM72V66441DLI-10K | HYNIX | Synchronous DRAM, 16MX4, 8ns, CMOS, PDSO54, |
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| GM72V66441ELT | ETC | 16Mx4|3.3V|4K|75|SDR SDRAM - 64M |
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| GM72V66441ELT-7 | ETC | x4 SDRAM |
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| GM72V66441ELT-75 | ETC | x4 SDRAM |
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| GM72V66441ELT-7J | ETC | x4 SDRAM |
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| GM72V66441ELT-7K | ETC | x4 SDRAM |
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