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GM72V661641DI-8

更新时间: 2024-10-28 15:33:07
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 620K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54,

GM72V661641DI-8 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SON, SOLCC54,.3,20Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.9最长访问时间:6 ns
最大时钟频率 (fCLK):125 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-N54
JESD-609代码:e0内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
端子数量:54字数:4194304 words
字数代码:4000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SON封装等效代码:SOLCC54,.3,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.165 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子节距:0.5 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

GM72V661641DI-8 数据手册

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