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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 80 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PZIP-T20 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 端子数量： | 20 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | ZIP |
| 封装等效代码： | ZIP20,.1 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 512 |
| 最大待机电流： | 0.0002 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.07 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | ZIG-ZAG |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GM71C4256ASJ | LG |
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262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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| GM71C4256ASJ-10 | LG |
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262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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| GM71C4256ASJ-60 | LG |
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262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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| GM71C4256ASJ-70 | LG |
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262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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| GM71C4256ASJ-80 | LG |
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262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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| GM71C4256AZ | LG |
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262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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| GM71C4256AZ-10 | LG |
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262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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| GM71C4256AZ-60 | LG |
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262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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| GM71C4256AZ-70 | LG |
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262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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| GM71C4256AZ-80 | LG |
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262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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