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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.87 |
| 访问模式： | FAST PAGE | 最长访问时间： | 70 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T20 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 20 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP20,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 512 |
| 子类别： | DRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GM71C4256B-80 | LG |
获取价格 |
New Generation Dynamic RAM |
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| GM71C4256BJ | LG |
获取价格 |
New Generation Dynamic RAM |
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| GM71C4256BJ-60 | LG |
获取价格 |
New Generation Dynamic RAM |
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| GM71C4256BJ-70 | LG |
获取价格 |
New Generation Dynamic RAM |
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| GM71C4256BJ-80 | LG |
获取价格 |
New Generation Dynamic RAM |
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| GM71C4256BL | LG |
获取价格 |
New Generation Dynamic RAM |
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| GM71C4256BL-60 | LG |
获取价格 |
New Generation Dynamic RAM |
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| GM71C4256BL-60 | HYNIX |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 256KX4, 60ns, CMOS, PDIP20 |
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| GM71C4256BL-70 | LG |
获取价格 |
New Generation Dynamic RAM |
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| GM71C4256BL-80 | LG |
获取价格 |
New Generation Dynamic RAM |
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