是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.87 |
访问模式: | FAST PAGE | 最长访问时间: | 70 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J20 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 20 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX4 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ20/26,.34 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 512 |
子类别: | DRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GM71C4256BLJ-80 | LG |
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New Generation Dynamic RAM | |
GM71C4256BLZ | LG |
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New Generation Dynamic RAM | |
GM71C4256BLZ-60 | LG |
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New Generation Dynamic RAM | |
GM71C4256BLZ-60 | HYNIX |
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Fast Page DRAM, 256KX4, 60ns, CMOS, PZIP20 | |
GM71C4256BLZ-70 | LG |
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New Generation Dynamic RAM | |
GM71C4256BLZ-80 | LG |
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New Generation Dynamic RAM | |
GM71C4256BZ | LG |
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New Generation Dynamic RAM | |
GM71C4256BZ-60 | LG |
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New Generation Dynamic RAM | |
GM71C4256BZ-70 | LG |
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New Generation Dynamic RAM | |
GM71C4256BZ-80 | LG |
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New Generation Dynamic RAM |