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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FAST PAGE | 最长访问时间： | 60 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码： | R-PZIP-T20 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 20 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 512 |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | ZIG-ZAG |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GM71C4256AZ-70 | LG |
获取价格 |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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| GM71C4256AZ-80 | LG |
获取价格 |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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| GM71C4256B | LG |
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New Generation Dynamic RAM |
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| GM71C4256B-60 | LG |
获取价格 |
New Generation Dynamic RAM |
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| GM71C4256B-70 | LG |
获取价格 |
New Generation Dynamic RAM |
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| GM71C4256B-80 | LG |
获取价格 |
New Generation Dynamic RAM |
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| GM71C4256BJ | LG |
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New Generation Dynamic RAM |
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| GM71C4256BJ-60 | LG |
获取价格 |
New Generation Dynamic RAM |
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| GM71C4256BJ-70 | LG |
获取价格 |
New Generation Dynamic RAM |
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| GM71C4256BJ-80 | LG |
获取价格 |
New Generation Dynamic RAM |
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