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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | 访问模式： | FAST PAGE |
| 最长访问时间： | 100 ns | 其他特性： | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J20 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 20 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 512 | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | J BEND |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| GM71C4256ASJ-60 | LG | 262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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| GM71C4256ASJ-70 | LG | 262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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| GM71C4256ASJ-80 | LG | 262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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| GM71C4256AZ | LG | 262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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| GM71C4256AZ-10 | LG | 262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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| GM71C4256AZ-60 | LG | 262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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