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GD75HFU60C1S

更新时间： 2024-04-09 18:59:00

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斯达半导体 - STARPOWER		/
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描述
C1.0.Half Bridge

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GD75HFU60C1S

IGBT Module

STARPOWER

SEMICONDUCTOR^TM

IGBT

GD75HFU60C1S

Molding Type Module

600V/75A 2 in one-package

General Description

STARPOWER IGBT Power Module provides ultrafast

switching speed as well as short circuit ruggedness.

They are designed for the applications such as electronic

welder and Inductive heating.

Features

















NPT IGBT technology

10μs short circuit capability

V

_CE(sat)with positive temperature coefficient

Rugged with ultrafast performance

Square RBSOA

Low inductance case

Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD

Isolated copper baseplate using DBC technology

Equivalent Circuit Schematic

Typical Applications







Electrical welder

SMPS

Inductive heating

©2011 STARPOWER Semiconductor Ltd.

6/6/2011

1/9

Rev.A

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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GD75HFY120C1S	STARPOWER	C1.0-Half Bridge	获取价格
GD75HHU120C5S	STARPOWER	C5.4.full bridge	获取价格
GD75L	ETC	Optoelectronic	获取价格
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