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GD75HFX65C1S

更新时间： 2024-04-09 18:59:57

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斯达半导体 - STARPOWER		/
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描述
C1.0-Half Bridge

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GD75HFX65C1S

IGBT Module

STARPOWER

SEMICONDUCTOR

IGBT

GD75HFX65C1S

650V/75A 2 in one-package

General Description

STARPOWER IGBT Power Module provides ultra

low conduction loss as well as short circuit ruggedness.

They are designed for the applications such as

general inverters and UPS.

Features















Low V_CE(sat)Trench IGBT technology

6μs short circuit capability

V

_CE(sat)with positive temperature coefficient

Maximum junction temperature 175^oC

Low inductance case

Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD

Isolated copper baseplate using DBC technology

Typical Applications







Inverter for motor drive

AC and DC servo drive amplifier

Uninterruptible power supply

Equivalent Circuit Schematic

©2018 STARPOWER Semiconductor Ltd.

12/15/2018

1/9

Preliminary

12 3 4 5 6 7...9

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与GD75HFX65C1S相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GD75HFY120C1S	STARPOWER	C1.0-Half Bridge	获取价格
GD75HHU120C5S	STARPOWER	C5.4.full bridge	获取价格
GD75L	ETC	Optoelectronic	获取价格
GD75MLT60F1S	STARPOWER	F1.2.3-level	获取价格
GD75MLX65L3S	STARPOWER	L3.1-NPC1	获取价格
GD75PFL170C6S	STARPOWER	C6.7-PIM	获取价格

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