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GD75HFY120C1S PDF预览

GD75HFY120C1S

更新时间： 2024-04-09 19:00:55

品牌	Logo	应用领域
斯达半导体 - STARPOWER		/
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9页	178K
描述
C1.0-Half Bridge

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GD75HFY120C1S

IGBT Module

STARPOWER

SEMICONDUCTOR

IGBT

GD75HFY120C1S

1200V/75A 2 in one-package

General Description

STARPOWER IGBT Power Module provides ultra

low conduction loss as well as short circuit ruggedness.

They are designed for the applications such as

general inverters and UPS.

Features















Low V_CE(sat)Trench IGBT technology

10μs short circuit capability

V

_CE(sat)with positive temperature coefficient

Maximum junction temperature 175^oC

Low inductance case

Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD

Isolated copper baseplate using DBC technology

Typical Applications







Inverter for motor drive

AC and DC servo drive amplifier

Uninterruptible power supply

Equivalent Circuit Schematic

©2018 STARPOWER Semiconductor Ltd.

2/27/2018

1/9

SN0B

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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