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GD75FFT170C6S

更新时间： 2024-04-09 19:02:28

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斯达半导体 - STARPOWER		/
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描述
C6.2.3 phase bridge

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GD75FFT170C6S

IGBT Module

STARPOWER

SEMICONDUCTOR^TM

IGBT

GD75FFT170C6S

Molding Type Module

1700V/75A 6 in one-package

General Description

STARPOWER IGBT Power Module provides ultra

low conduction loss as well as short circuit ruggedness.

They are designed for the applications such as

general inverters and UPS.

Features















Low V_CE(sat)trench IGBT technology

10μs short circuit capability

V

_CE(sat)with positive temperature coefficient

Maximum junction temperature 175℃

Low inductance case

Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD

Isolated copper baseplate using DBC technology

Typical Applications







Inverter for motor drive

AC and DC servo drive amplifier

Uninterruptible power supply

©2011 STARPOWER Semiconductor Ltd.

7/21/2011

1/9

Rev.A

12 3 4 5 6 7...9

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