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GD75HFK120C1S

更新时间： 2024-04-09 19:03:07

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斯达半导体 - STARPOWER		/
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描述
C1.0.Half Bridge

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GD75HFK120C1S

IGBT Module

STARPOWER

SEMICONDUCTOR

IGBT

GD75HFK120C1S

1200V/75A 2 in one-package

General Description

STARPOWER IGBT Power Module provides ultra

low conduction loss as well as short circuit ruggedness.

They are designed for the applications such as

general inverters and UPS.

Features















NPT IGBT technology

10μs short circuit capability

V

_CE(sat)with positive temperature coefficient

Maximum junction temperature 150^oC

Low inductance case

Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD

Isolated copper baseplate using DBC technology

Typical Applications







Inverter for motor drive

AC and DC servo drive amplifier

Uninterruptible power supply

Equivalent Circuit Schematic

©2014 STARPOWER Semiconductor Ltd.

11/21/2014

1/9

DF0A

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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GD75HFL170C1S	STARPOWER	C1.0-Half Bridge	获取价格
GD75HFL170C8S	STARPOWER	C8.0.Half Bridge	获取价格
GD75HFT120C1S	STARPOWER	C1.0.Half Bridge	获取价格
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