5秒后页面跳转
G20120W1EBC1SE3 PDF预览

G20120W1EBC1SE3

更新时间: 2024-09-21 08:41:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
1页 25K
描述
Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,

G20120W1EBC1SE3 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.73
Base Number Matches:1

G20120W1EBC1SE3 数据手册

  

与G20120W1EBC1SE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
G20120W1EC1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
G20120W1EN1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
G20120W1FB1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
G20120W1FBC1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
G20120W1FC1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
G20120W1FC1SE3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
G20120W1FN1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
G20120W1FN1SE3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
G20120W1TB1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
G20120W1TB1SE3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,