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G20120X1TN1SE3

更新时间: 2024-09-21 06:03:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
1页 25K
描述
Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,

G20120X1TN1SE3 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.73
应用:POWER配置:COMPLEX
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
相数:3

G20120X1TN1SE3 数据手册

  

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