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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| 应用： | POWER | 配置： | COMPLEX |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 相数： | 3 | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| G20120W1TN1SE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| G20120X1EB1S | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| G20120X1EB1SE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| G20120X1EN1SE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| G20120X1FBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| G20120X1FBC1SE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| G20120X1FC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| G20120X1FC1SE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| G20120X1FN1SE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| G20120X1TB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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