Datasheet > FZ400R12KS4HOSA1

FZ400R12KS4HOSA1

更新时间： 2023-05-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
9页	877K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 510A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FZ400R12KS4HOSA1 数据手册

技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

FZ400R12KS4

62mmꢀC-Seriesꢀ模块ꢀ采用第二高速IGBT和碳化硅二极管针对高频应用

62mmꢀC-SeriesꢀmoduleꢀwithꢀtheꢀfastꢀIGBT2ꢀforꢀhigh-frequencyꢀswitching

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 400A / I_CRM= 800A

典型应用

TypicalꢀApplications

• HighꢀFrequencyꢀSwitchingꢀApplication

• MedicalꢀApplications

• MotorꢀDrives

• 高频开关应用

• 医疗应用

• 电机传动

• 谐振逆变器应用

• 伺服驱动器

• UPS系统

• ResonantꢀInverterꢀAppliccations

• ServoꢀDrives

• UPSꢀSystems

电气特性

ElectricalꢀFeatures

• 高短路能力，自限制短路电流

• High Short Circuit Capability, Self Limiting Short

CircuitꢀCurrent

• 低开关损耗

• LowꢀSwitchingꢀLosses

• 无与伦比的坚固性

• V_CEsatꢀꢀ带正温度系数

• UnbeatableꢀRobustness

• V_CEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient

机械特性

MechanicalꢀFeatures

• 封装的ꢀCTIꢀ>ꢀ400

• 高爬电距离和电气间隙

• 绝缘的基板

• 铜基板

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400

• HighꢀCreepageꢀandꢀClearanceꢀDistances

• IsolatedꢀBaseꢀPlate

• CopperꢀBaseꢀPlate

• 标封装

• StandardꢀHousing

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

ꢀDigit

ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀMB

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02

revision:ꢀ3.4

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与FZ400R12KS4HOSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZ400R12KS4P	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FZ400R17KE3	EUPEC	获取价格	62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT and EmCon diode
FZ400R17KE3	INFINEON	获取价格	62 mm 1700 V, 400 A single switch IGBT module?with TRENCHSTOP? IGBT3 and Emitter Controlle
FZ400R17KE4	INFINEON	获取价格	62mm C-Series module with trench/fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled Diode
FZ400R17KE4HOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 550A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5
FZ400R33KL2C_B5	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FZ400R33KL2CB5NOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 750A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5
FZ400R65KE3	INFINEON	获取价格	10.4kV isolation
FZ400R65KE3NOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FZ400R65KF1	EUPEC	获取价格	IGBT-Module