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Datasheet > 晶体管 > IGBT> FZ400R65KF2
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FZ400R65KF2

更新时间： 2024-11-26 10:22:55
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 263K
描述
IGBT-modules

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FZ400R65KF2 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.59
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：400 A集电极-发射极最大电压：6300 V
配置：PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X7元件数量：2
端子数量：7最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：7350 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：5900 ns
标称接通时间 (ton)：1120 nsVCEsat-Max：4.9 V
Base Number Matches：1

FZ400R65KF2 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ400R65KF2  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = -50°C  
6500  
6300  
5700  
V†Š»  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
t« = 1 ms  
I† ÒÓÑ  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
400  
800  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
7,35  
+/-20  
kW  
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 400 A, V•Š = 15 V  
I† = 400 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
4,30 4,90  
5,30 5,90  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 70,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V, V†Š = 3600V  
TÝÎ = 25°C  
6,4  
7,0  
5,60  
1,1  
8,1  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 6500 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
56,0  
nF  
nF  
mA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
I†Š»  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
0,4  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
400 nA  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 400 A, V†Š = 3600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 6,2 Â, C•Š = 44,0 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,75  
0,72  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 400 A, V†Š = 3600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 6,2 Â, C•Š = 44,0 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,37  
0,40  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 400 A, V†Š = 3600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 44 Â, C•Š = 44,0 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
5,50  
6,00  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 400 A, V†Š = 3600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 44 Â, C•Š = 44,0 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,40  
0,50  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 400 A, V†Š = 3600 V, L» = 280 nH  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 6,2 Â, C•Š = 44,0 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
EÓËË  
4000  
2300  
2000  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 400 A, V†Š = 3600 V, L» = 280 nH  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 44 Â, C•Š = 44,0 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
mJ  
mJ  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 4400 V  
I»†  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
pro IGBT / per IGBT  
pro IGBT / per IGBT  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
17,0 K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
12,5  
K/kW  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Thomas Dütemeyer  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2008-02-20  
revision: 3.0  
1
12345678

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FZ400R65KF2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FZ400R65KE3 INFINEON

功能相似

 10.4kV isolation
FZ400R65KE3NOSA1 INFINEON

功能相似

 Insulated Gate Bipolar Transistor,

与FZ400R65KF2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FZ400S17K6CB2 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel
FZ500R12KF ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 500A I(C) | M:HL093HW048
FZ500R12KL ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 500A I(C) | M:HL093HW048
FZ500R65KE3 INFINEON

获取价格

 		high insulated module
FZ500R65KE3NOSA1 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 6500V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FZ500R65KE3T INFINEON

获取价格

 		high insulated module
FZ50A05KN ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | MODULE-Q
FZ50A06KL ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 50A I(C)
FZ50A10KN ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 50A I(C) | MODULE-Q
FZ50A12KF ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C)

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