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FZ400R33KL2CB5NOSA1

更新时间： 2024-02-02 11:54:57

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	306K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 750A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5

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FZ400R33KL2CB5NOSA1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	MODULE-5	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	36 weeks
风险等级：	5.79	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	750 A	集电极-发射极最大电压：	3300 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X5
元件数量：	1	端子数量：	5
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	4250 ns
标称接通时间 (ton)：	1400 ns	Base Number Matches：	1

FZ400R33KL2CB5NOSA1 数据手册

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FZ400R33KL2C_B5

VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

T_vj= -25°C

3300

V_CES

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

400

750

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

800

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

V_GES

+/-20

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 400 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

3,00 3,65

3,70 4,45

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 40,0 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V, V_CE= 1800V

T_vj= 25°C

4,20 5,10 6,00

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

7,50

1,3

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 3300 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

48,0

2,70

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

400 nA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 400 A, V_CE= 1800 V

V_GE= ±15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,00

µs

R_Gon= 13 Ω, C_GE= 100 nF

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 400 A, V_CE= 1800 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 13 Ω, C_GE= 100 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,40

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 400 A, V_CE= 1800 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 13 Ω, C_GE= 100 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

3,70

3,90

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 400 A, V_CE= 1800 V

V_GE= ±15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,25

0,35

µs

R_Goff= 13 Ω, C_GE= 100 nF

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 400 A, V_CE= 1800 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 3000 A/µs

R_Gon= 6,2 Ω, C_GE= 100 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

900

1200

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 400 A, V_CE= 1800 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

440

600

R_Goff= 13 Ω, C_GE= 100 nF

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 2500 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

1800

24,0

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

25,5 K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

K/kW

λ_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

125

°C

Datasheet

Vꢀ2.1

2018-01-15

12 3 4 5 6 7 8

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FZ400R65KF1	EUPEC	获取价格	IGBT-Module
FZ400R65KF2	INFINEON	获取价格	IGBT-modules
FZ400S17K6CB2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel
FZ500R12KF	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 500A I(C) \| M:HL093HW048
FZ500R12KL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 500A I(C) \| M:HL093HW048
FZ500R65KE3	INFINEON	获取价格	high insulated module
FZ500R65KE3NOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 6500V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FZ500R65KE3T	INFINEON	获取价格	high insulated module

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