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FZ400R65KF1

更新时间： 2024-11-05 03:04:07

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IGBT-Module

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FZ400R65KF1 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	MODULE-7
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	800 A	集电极-发射极最大电压：	6300 V
配置：	COMPLEX	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	元件数量：	2
端子数量：	7	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	7400 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	6500 ns
标称接通时间 (ton)：	1120 ns	VCEsat-Max：	4.9 V
Base Number Matches：	1

FZ400R65KF1 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FZ 400 R 65 KF1

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

T_vj=125°C

6500

6300

5800

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

T_vj=25°C

V_CES

collector-emitter voltage

T_vj=-40°C

_C= 80 °C

_C= 25 °C

I_C,nom.

I_C

400

800

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

_P= 1 ms, T_C= 80°C

I_CRM

800

7,4

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T_C=25°C, Transistor

P_tot

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V_GES

+/- 20V

400

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

t_P= 1 ms

I_FRM

800

Grenzlastintegral der Diode

I²t - value, Diode

I²t

k A²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_vj= 125°C

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

10,2

5,1

Teilentladungs Aussetzspannung

partial discharge extinction voltage

RMS, f = 50 Hz, Q_PDtyp. 10pC (acc. To IEC 1287)

V_ISOL

Charakteristische Werte / Characteristic values

min. typ. max.

Transistor / Transistor

_C= 400A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

_C= 400A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

V_{CE sat}

4,3

4,9

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

5,3

5,9

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

_C= 70mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE(th)

6,4

7,0

5,6

8,1

Gateladung

gate charge

V_GE= -15V ... +15V

Q_G

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

V_CE= 6300V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

C_ies

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

0,4

I_CES

_CE= 6500V, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

400

prepared by: Dr. Oliver Schilling

date of publication: 2002-07-05

revision/Status: Series 1

approved by: Dr. Schütze 2002-07-05

FZ 400 R65 KF1 (final 1).xls

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FZ400S17K6CB2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel
FZ500R12KF	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 500A I(C) \| M:HL093HW048
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