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FZ1800R12KL4C

更新时间： 2024-02-27 21:38:55

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EUPEC		晶体晶体管栅局域网
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8页	103K
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Hochstzulassige Werte / Maximum rated values

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FZ1800R12KL4C 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.6	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	2850 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	PARALLEL, 3 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X9
元件数量：	3	端子数量：	9
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FZ1800R12KL4C 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FZ 1800 R 12 KL4C

Transienter Wärmewiderstand

Transient thermal impedance

Z_thJC= f (t)

0,1

0,01

Zth:Diode

Zth:IGBT

0,001

0,01

0,1

100

t [sec]

: IGBT

: Diode

5,00

4,43

0,0381

5,64

0,76

0,195

6,44

0,047

0,81

0,50

1,74

0,50

ri [K/kW]

τι=[σεχ]==

ri [K/kW]

τι=[σεχ]==

0,0044

10,18

0,00341

0,0245

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

Reverse bias safe operation area (RBSOA) V_GE= +15V, R_g= 0,51Ω, T_vj= 125°C

4200

3600

3000

2400

1800

1200

600

IC,Modul

IC,Chip

200

400

600

800

1000

1200

1400

V_CE[V]

7(8)

Seriendatenblatt_FZ1800R12KL4C

1...4 5 678

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与FZ1800R12KL4C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZ1800R16KF4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.6KV V(BR)CES \| 1.8KA I(C)
FZ1800R17HE4_B9	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1800R17HE4B9HOSA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1800R17HE4B9NPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1800R17HP4_B29	INFINEON	获取价格	IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4
FZ1800R17HP4_B9	INFINEON	获取价格	IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4
FZ1800R17HP4B29BOSA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FZ1800R17KE3_B2	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FZ1800R17KE3B2NOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2850A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1800R17KF4	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1800A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel,