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FZ1800R12KL4C

更新时间： 2024-01-28 15:57:15

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EUPEC		晶体晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
8页	103K
描述
Hochstzulassige Werte / Maximum rated values

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FZ1800R12KL4C 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.6	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	2850 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	PARALLEL, 3 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X9
元件数量：	3	端子数量：	9
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FZ1800R12KL4C 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FZ 1800 R 12 KL4C

Charakteristische Werte / Characteristic values

min. typ. max.

Transistor / Transistor

_C= 1800A, V_CE= 600V

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn on delay time (inductive load)

t_d,on

V_GE= ±15V, R_G= 0,51Ω, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 0,51Ω, T_vj= 125°C

0,59

0,61

µs

_C= 1800A, V_CE= 600V

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

t_r

V_GE= ±15V, R_G= 0,51Ω, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 0,51Ω, T_vj= 125°C

0,19

0,2

µs

_C= 1800A, V_CE= 600V

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn off delay time (inductive load)

t_d,off

V_GE= ±15V, R_G= 0,51Ω, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 0,51Ω, T_vj= 125°C

1,09

1,18

µs

_C= 1800A, V_CE= 600V

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

t_f

V_GE= ±15V, R_G= 0,51Ω, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 0,51Ω, T_vj= 125°C

0,16

0,17

µs

_C= 1800A, V_CE= 600V, V_GE= 15V

R_G= 0,51Ω, T_vj= 125°C, L_S= 70nH

_C= 1800A, V_CE= 600V, V_GE= 15V

R_G= 0,51Ω, T_vj= 125°C, L_S= 70nH

_P≤ 10µsec, V_GE≤ 15V, R_G= 0,51Ω

_Vj≤125°C, V_CC=900V, V_CEmax=V_CES-L_sCE·dI/dt

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn-on energy loss per pulse

E_on

E_off

230

295

mWs

Abschaltverlustenergie pro Puls

turn-off energy loss per pulse

Kurzschlußverhalten

SC Data

I_SC

14000

Modulinduktivität

stray inductance module

L_sCE

Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse – Chip

module lead resistance, terminals – chip

T_C=25°C

R_CC‘+EE‘

0,07

mΩ

Charakteristische Werte / Characteristic values

min. typ. max.

Diode / Diode

I_F= 1800A, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

Durchlaßspannung

V_F

I_RM

Q_r

1,8

1,7

2,3

2,2

forward voltage

I_F= 1800A, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

I_F= 1800A, - di_F/dt = 9900A/µsec

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

_R= 600V, VGE = -15V, T_vj= 25°C

_R= 600V, VGE = -15V, T_vj= 125°C

990

1290

I_F= 1800A, - di_F/dt = 9900A/µsec

V_R= 600V, VGE = -15V, T_vj= 25°C

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

170

380

µAs

V_R= 600V, VGE = -15V, T_vj= 125°C

I_F= 1800A, - di_F/dt = 9900A/µsec

V_R= 600V, VGE = -15V, T_vj= 25°C

Abschaltenergie pro Puls

reverse recovery energy

E_rec

mWs

V_R= 600V, VGE = -15V, T_vj= 125°C

130

2(8)

Seriendatenblatt_FZ1800R12KL4C

123 4 5 6 7 8

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与FZ1800R12KL4C相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FZ1800R16KF4	ETC	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.6KV V(BR)CES \| 1.8KA I(C)	获取价格
FZ1800R17HE4_B9	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9	获取价格
FZ1800R17HE4B9HOSA2	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9	获取价格
FZ1800R17HE4B9NPSA1	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9	获取价格
FZ1800R17HP4_B29	INFINEON	IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4	获取价格
FZ1800R17HP4_B9	INFINEON	IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4	获取价格

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