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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> FYP1010DN
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FYP1010DN

更新时间： 2024-10-14 22:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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FYP1010DN 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.19Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：GENERAL PURPOSE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.65 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

FYP1010DN 数据手册

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FYP1010DN  
Features  
•
•
•
Low forward voltage drop  
High frequency properties and switching speed  
Guard ring for over-voltage protection  
Applications  
TO-220  
•
•
Switched mode power supply  
Freewheeling diodes  
1
2
3
1. Anode 2.Cathode 3. Anode  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Maximum DC Reverse Voltage  
Value  
100  
100  
10  
Units  
V
V
V
V
A
A
RRM  
R
I
I
Average Rectified Forward Current  
@ T = 135°C  
C
F(AV)  
FSM  
Non-repetitive Peak Surge Current (per diode)  
60Hz Single Half-Sine Wave  
100  
T
T
Operating Junction and Storage Temperature  
-65 to +150  
°C  
J, STG  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
R
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case (per diode)  
2.5  
°C/W  
θJC  
Electrical Characteristics (per diode)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
V
FM  
*
I = 5A  
T
T
T
T
= 25 °C  
= 125 °C  
= 25 °C  
= 125 °C  
0.75  
0.65  
0.95  
0.73  
F
C
C
C
C
I = 5A  
F
I = 10A  
F
I = 10A  
F
I
Maximum Instantaneous Reverse Current  
mA  
RM  
*
@ rated V  
T
T
= 25 °C  
= 125 °C  
1
30  
R
C
C
* Pulse Test: Pulse Width=300µs, Duty Cycle=2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, November 2001  
1234

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与FYP1010DN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FYP1010DN_07 FAIRCHILD

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 		Schottky Barrier Rectifier
FYP1010DNJ69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220, 3 PIN
FYP1010DNTU FAIRCHILD

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, TO-220
FYP1010DNTU ROCHESTER

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 		10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
FYP1504DNJ69Z FAIRCHILD

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 40V V(RRM), Silicon, TO-220, 3 PIN

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