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FYP1010DNTU PDF预览

FYP1010DNTU

更新时间： 2024-10-15 20:02:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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FYP1010DNTU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.16
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：GENERAL PURPOSE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.65 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

FYP1010DNTU 数据手册

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FYP1010DN  
Features  
•
•
•
Low forward voltage drop  
High frequency properties and switching speed  
Guard ring for over-voltage protection  
Applications  
TO-220  
•
•
Switched mode power supply  
Freewheeling diodes  
1
2
3
1. Anode 2.Cathode 3. Anode  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Maximum DC Reverse Voltage  
Value  
100  
100  
10  
Units  
V
V
V
V
A
A
RRM  
R
I
I
Average Rectified Forward Current  
@ T = 135°C  
C
F(AV)  
FSM  
Non-repetitive Peak Surge Current (per diode)  
60Hz Single Half-Sine Wave  
100  
T
T
Operating Junction and Storage Temperature  
-65 to +150  
°C  
J, STG  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
R
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case (per diode)  
2.5  
°C/W  
θJC  
Electrical Characteristics (per diode)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
V
FM  
*
I = 5A  
T
T
T
T
= 25 °C  
= 125 °C  
= 25 °C  
= 125 °C  
0.75  
0.65  
0.95  
0.73  
F
C
C
C
C
I = 5A  
F
I = 10A  
F
I = 10A  
F
I
Maximum Instantaneous Reverse Current  
mA  
RM  
*
@ rated V  
T
T
= 25 °C  
= 125 °C  
1
30  
R
C
C
* Pulse Test: Pulse Width=300µs, Duty Cycle=2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, November 2001  
1234

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FYP1010DNTU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBR20100CT-E3/4W VISHAY

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