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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-3P | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FX30SMJ03 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR |
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| FX30SMJ-03 | MITSUBISHI | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.061ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| FX30SMJ-03 | POWEREX | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.061ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| FX30SMJ06 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR |
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| FX30SMJ-06 | POWEREX | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.054ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| FX30SMJ2 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR |
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