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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FX30SMJ-3
FX30SMJ-3 PDF预览

FX30SMJ-3

更新时间： 2024-11-18 07:00:43
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
7页 173K
描述
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

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FX30SMJ-3 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-3P
包装说明：TO-3P, SC-65, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.28外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.111 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FX30SMJ-3 数据手册

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FX30SMJ-3  
High-Speed Switching Use  
Pch Power MOS FET  
REJ03G1449-0200  
(Previous: MEJ02G0292-0101)  
Rev.2.00  
Aug 07, 2006  
Features  
•
•
•
•
•
Drive voltage : 4 V  
DSS : –150 V  
DS(ON) (max) : 100 mΩ  
V
r
ID : –30 A  
Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100 ns  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004ZB-A  
(Package name: TO-3P)  
4
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
2
2, 4  
Applications  
Motor control, Lamp con-DC converters, etc.  
Maximum Ratings  
(Tc = 25°C)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Ratings  
–150  
Unit  
Conditions  
VGS = 0 V  
V
V
±20  
VDS = 0 V  
–30  
A
Drain current (Pulsed)  
Avalanche drain current (Pulsed)  
Source current  
IDM  
–120  
A
IDA  
–30  
A
L = 30 µH  
IS  
–30  
A
Source current (Pulsed)  
Maximum power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
Mass  
ISM  
–120  
A
PD  
150  
W
°C  
°C  
g
Tch  
Tstg  
—
– 55 to +150  
– 55 to +150  
4.8  
Typical value  
Rev.2.00 Aug 07, 2006 page 1 of 6  
1234567

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与FX30SMJ-3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FX30SMJ-3-A8 RENESAS

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 		High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET
FX30UM-03 POWEREX

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.071ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
FX30UM06 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB
FX30UM2 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB
FX30UM-2 POWEREX

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide
FX30UM3 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB
FX30UM-3 POWEREX

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 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide
FX30UMH03 ETC

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