5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.061 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FX30UMJ06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
|
| FX30UMJ-06 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.054ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| FX30UMJ2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
|
| FX30UMJ-2 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.176ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| FX30UMJ3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
|
| FX30UMJ-3 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| FX30VS-03 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.071ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| FX30VS06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
|
| FX30VS-06 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.063ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| FX30VS2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
