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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 4页 | 46K |  |
| 描述 | ||
| Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.176ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.176 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FX30VSJ3 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
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| FX30VSJ-3 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 150V, 0.111ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| FX30VSJ-3 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| FX-312.000MHZBCD0001 | FOX |
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Series - Fundamental Quartz Crystal, 12MHz Nom, |
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| FX-312.000MHZBCD1001 | FOX |
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Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 12MHz Nom, |
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| FX-312.000MHZBZE0001 | FOX |
获取价格 |
Series - Fundamental Quartz Crystal, 12MHz Nom |
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| FX313/FX323 | ETC |
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QTC Data Store/Dispaly Driver |
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| FX313K | CMLMICRO |
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FX202 is an Obsolete Product - For Information Only - |
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| FX313-K | CMLMICRO |
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Tone Decoder Circuit, CMOS, CQCC28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-28 |
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| FX315 | CMLMICRO |
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CML Semiconductor Products |
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