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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.071 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FX30UM06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
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| FX30UM2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
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| FX30UM-2 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| FX30UM3 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
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| FX30UM-3 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| FX30UMH03 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
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| FX30UMH-03 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| FX30UMH06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
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| FX30UMH2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
|
| FX30UMH-2 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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