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FX30SMJ-03

更新时间： 2024-02-16 14:42:13

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	57K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.061ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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技术参数
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FX30SMJ-03 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.061 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FX30SMJ-03 数据手册

MITSUBISHI Pch POWER MOSFET

FX30SMJ-03

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FX30SMJ-03

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

4.5

15.9 max

1.5

φ 3.2

4.4

1.0

5.45

0.6

2.8

4V DRIVE

•

GATE

DRAIN

SOURCE

DRAIN

VDSS ............................................................... –30V

rDS (ON) (MAX) ................................................ 61mΩ

•

ID .................................................................... –30A

Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) ...........50ns

•

TO-3P

APPLICATION

Motor control, Lamp control, Solenoid control

DC-DC converter, etc.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VDSS

VGSS

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Conditions

Ratings

Unit

VGS = 0V

VDS = 0V

–30

±20

–30

IDM

IDA

Drain current (Pulsed)

–120

–30

Avalanche drain current (Pulsed) L = 10µH

Source current

–30

ISM

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

–120

°C

Tch

–55 ~ +150

4.8

Tstg

—

Storage temperature

Weight

Typical value

Jan.1999

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FX30SMJ06	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-247VAR	获取价格
FX30SMJ-06	POWEREX	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.054ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met	获取价格
FX30SMJ2	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-247VAR	获取价格
FX30SMJ3	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-247VAR	获取价格
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