FX30KMJ-3

更新时间： 2024-01-13 02:38:09

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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描述
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

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FX30KMJ-3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220FN	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.34
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A
最大漏极电流 (ID)：	30 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FX30KMJ-3 数据手册

FX30KMJ-3

High-Speed Switching Use

Pch Power MOS FET

REJ03G1448-0200

(Previous: MEJ02G0291-0101)

Rev.2.00

Aug 07, 2006

Features

•

Drive voltage : 4 V

_DSS: –150 V

_{DS(ON) (max)}: 100 mΩ

I_D: –30 A

Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100 ns

Viso : 2000 V

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003AB-A

(Package name: TO-220FN)

1. Gate

2. Drain

3. Source

Applications

Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc.

Maximum Ratings

(Tc = 25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

–150

Unit

Conditions

V_GS= 0 V

±20

V_DS= 0 V

–30

Drain current (Pulsed)

Avalanche drain current (Pulsed)

Source current

I_DM

–120

I_DA

–30

L = 30 µH

I_S

–30

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Isolation voltage

I_SM

–120

P_D

°C

Tch

Tstg

Viso

– 55 to +150

2000

AC for 1 minute,

Terminal to case

Mass

—

2.0

Typical value

Rev.2.00 Aug 07, 2006 page 1 of 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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