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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FX30KMJ-3
FX30KMJ-3 PDF预览

FX30KMJ-3

更新时间： 2024-02-03 13:54:21
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 174K
描述
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

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FX30KMJ-3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220FN包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
最大漏极电流 (ID)：30 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FX30KMJ-3 数据手册

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FX30KMJ-3  
Performance Curves  
Power Dissipation Derating Curve  
Maximum Safe Operating Area  
–2  
50  
40  
30  
20  
10  
0
–102  
–7  
–5  
–3  
–2  
–101  
–7  
–5  
–3  
–2  
–100  
–7  
–5  
Tc = 25°C  
Single Pulse  
–3  
–2  
1
2
3
–2 –3 –5–7  
–10  
–2 –3 –5–7  
–10  
–2 –3 –5–7  
–10  
–2  
0
50  
100  
150  
200  
Case Temperature Tc (°C)  
Drain-Source Voltage VDS (V)  
cteristics (Typical)  
Output Characteristics (Typical)  
–50  
–40  
–30  
–20  
–10  
0
3V  
V
GS = –10V  
–6V  
Tc = 25°C  
Pulse Test  
Tc = 25°C  
Pulse Test  
–5V  
–4V  
–3.5V  
PD = 35W  
–3V  
–2.5V  
–4  
0
0
–2  
–4  
0
–1.0  
–2.0  
–3.0  
–4.0  
–5.0  
Drain-So
Drain-Source Voltage VDS (V)  
On-State Resistance vs.  
Drain Current (Typical)  
On-S
Gate-Source cal)  
–10  
–8  
–6  
–4  
–2  
0
200  
160  
120  
80  
Tc = 25°C  
Pulse Test  
Tc = 25°C  
Pulse Test  
V
GS = –4V  
–10V  
I
D
= –45A  
–30A  
40  
–15A  
0
0
–2  
–4  
–6  
–8  
–10  
–100 –2 –3 –5 –7–101 –2 –3 –5 –7–102  
Gate-Source Voltage VGS (V)  
Drain Current ID (A)  
Rev.2.00 Aug 07, 2006 page 3 of 6  
1234567

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与FX30KMJ-3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FX30KMJ-3-A8 RENESAS

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 		High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET
FX30SM-03 POWEREX

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.071ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
FX30SM06 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR
FX30SM-06 POWEREX

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.063ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
FX30SM2 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR
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 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide
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 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR
FX30SM-3 POWEREX

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 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide
FX30SMH03 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR
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