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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FX20AS06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA |
|
| FX20AS-06 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| FX20AS2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA |
|
| FX20AS-2 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| FX20ASH03 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA |
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| FX20ASH06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA |
|
| FX20ASH-06 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| FX20ASH2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA |
|
| FX20ASH-2 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| FX20ASJ03 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA |
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