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FX20K120_15

更新时间: 2024-11-20 01:11:39
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德欧泰克 - DIOTEC /
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3页 124K
描述
Rectifier with Overvoltage Protection

FX20K120_15 数据手册

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FX20K120 ... FX20K150  
FX20K120 ... FX20K150  
Protectifiers® – LowVF-Rectifier with Overvoltage Protection  
Protectifiers® – LowVF-Gleichrichter mit Überspannungs-Schutz  
Version 2013-02-01  
Nominal current  
Nennstrom  
20 A  
120...150 V  
Ø 8 x 7.5 [mm]  
2.0 g  
Stand off voltage  
Sperrspannung  
Ø 8±0.1  
Plastic case  
Kunststoffgehäuse  
Weight approx.  
Gewicht ca.  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Ø 1.6±0.05  
Standard packaging taped in ammo pack  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
Dimensions - Maße [mm]  
Low forward losses, high reverse pulse power capability  
Niedrige Durchlass-Verluste, hohe Rückwärts-Pulsbelastbarkeit  
Maximum ratings and Charactistics (TJ = 25°C)  
Grenz- und Kennwerte (TJ = 25°C)  
Type  
Typ  
Stand-off voltage Max. rev. current  
Breakdown voltage  
Abbruch-Spannung  
Forward voltage  
Durchlass-Spannung  
VF [V] 1)  
Sperrspannung  
Max. Sperrstrom  
at/bei VWM  
VWM [V]  
120  
ID [µA]  
VBR min [V]  
130  
@ IT [mA]  
IF = 5A  
< 0.82  
< 0.82  
IF = 20A  
< 0.94  
< 0.94  
FX20K120  
FX20K150  
5
5
5
5
150  
160  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TA = 50°C  
IFAV  
Ptot  
IFRM  
IFSM  
i2t  
20 A 2)  
Total steady state power dissipation  
Gesamtverlustleistung im Dauerbetrieb  
TA = 50°C  
f > 15 Hz  
TA = 25°C  
TA = 25°C  
12 W  
130 A 1)  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle  
650/715 A  
2112 A2s  
Rating for fusing, t < 10 ms  
Grenzlastintegral, t < 10 ms  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Tj  
Tj  
-50...+175°C  
+200°C  
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
TS  
-50...+175°C  
1
2
Tj = 25°C  
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
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